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De nombreux articles ont été publiés jusqu'à présent sur la stérilisation au plasma gazeux . Ils sont principalement menés par des chercheurs en physique, de sorte que les aspects microbiologiques et chimiques sont nettement insuffisants. En rejoignant les biologistes et les chimistes, la recherche sur la stérilisation au plasma gazeux a fait des progrès remarquables. Le mécanisme n'était pas clair jusqu'à présent et d'après la durée de vie et d'autres raisons, les métastables peuvent être les facteurs les plus appropriés pour la stérilisation. La mort des spores s'explique par l'hydratation de l'acide dipicolinique dans le noyau. En attaquant les métastables, la surface des spores a été ouverte comme un trou d'épingle et l'eau intérieure et l'eau environnante ont pénétré dans le noyau pour hydrater le DPA. Le DPA à la surface a été recueilli avec de l'eau et enrichi avec une colonne SPE (extraction en phase solide). Le drain SPE a été analysé avec une colonne C-18 et élué avec un mélange acétonitrile/eau (1/4, v/v) et détecté à 235 nm. Les particules de surface des spores peuvent être confirmées par le DPA. Le processus d'hydratation peut se produire à l'intérieur des spores, de sorte que les figures des spores restent inchangées avant et après la stérilisation.

Un polysulfone aromatique est constitué d'un composé aromatique 4,4'-diol et d'une sulfone 4,4'-dichlorodiphényle. En tant que composés aromatiques 4,4'-diol , il existe le bisphénol A, le p-dihydroxybenzène, le 4,4'-diphénol méthane et le p,p'-diphénol (bisphénol) et ils ont été comparés pour étudier quel composé indiquerait la plus grande résistance à l'exposition aux rayons gamma . Le dioxyde de soufre (SO2) issu de la sulfone 4,4'-dichlorodiphényle a été utilisé comme indicateur pour l'évaluation. L'utilisation de bisphénol dans la préparation de polysulfone a indiqué la plus grande résistance à l'exposition aux rayons gamma et la plus faible production de SO2 parmi les composés diol aromatiques testés. Cela indique que du polysulfone exempt de bisphénol A est productible. La production de SO2 à partir de polysulfone à base de bisphénol était d'environ 43 % de celle de polysulfone à base de bisphénol A. Le taux de diminution de la résistance à la traction était bien corrélé à l'ordre de résistance aux rayonnements. La ténacité à la fracture du polysulfone à base de bisphénol A a diminué avec la dose d'irradiation, mais le polysulfone à base de bisphénol a conservé sa ductilité d'origine .